荧光粉转换型近紫外照明技术,是采用发射峰在400~420nm的InGaN近紫外芯片作为激发源,通过激发蓝色、青色、绿色及红色荧光粉实现高品质照明的一种新途径。该技术由于更加有效的结合了InGaN体系LED芯片的高效节能和荧光粉丰富多样的光谱结构,可以获得近乎太阳光的高品质完美照明体验,不仅如此,该技术在光谱结构上具有更大的设计空间,在以改善人类司晨节能、降低蓝光危害、缓解青少年近视眼等方面更是具有很大的应用空间,较现阶段以450nm蓝光芯片为激发源的LED照明技术具有无可比拟的优点,因此备受全球LED业界的关注。

2015年以来,国际照明委员会(CIE)及北美照明学会(IES)这两大国际标准机构都已提出未来LED照明技术的光品质目标,国家工信部也在《稀土行业发展规划(2016-2020年)》中明确提出发展全光谱照明目标。近紫外全光谱照明技术的突破,或将才能真正推动人类照明的光品质获得全面质的飞跃。

经过历时两年多的研发和攻关,相继成功开发出峰波长440~460nm蓝粉、480~500nm青粉、510~540绿粉及630~660nm的深红粉,同时在这些新型荧光粉的配方设计、合成技术及光谱调制等关键技术上已取得重要突破。近期,我司将推出基于紫光芯片的全光谱整体解决方案,对于此前开发的基于蓝光芯片的全光谱方案,紫光全光谱方案的光谱结构实现了与太阳光谱非常高的重合度,同时该方案在信赖性方面也具有良好的表现。

该方案的推出将为面向未来的类太阳光照明的需求提供重要的解决方案,进而对改善人们的照明体验,提升生活品质都将具有非常重要的意义。

      
图1 蓝光全光谱和太阳光谱对比图            图2 NUV全光谱和太阳光谱对比图